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IPB320N20N3G |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | Infineon Technologies | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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IPB320N20N3G参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3 包装数量:1000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):34A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 34A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2350pF @ 100V 功率 - 最大值:136W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 接口 - 信号缓冲PCA9512BD,118 通孔电阻器WW12JT560R 功率,高于 2 安G7L-1A-BUB-J-CB-DC12 D-Sub172-009-142-021 面板至面板 - 面8-146494-9 PMIC - MOTND027MP-AZ Card EdgeASC60DRTI-S93 功率驱动器PS21962-4C 多芯导线05585.66.02 Card EdgeGCM28DSEN |